ترانزیستور اثر میدانی (Field Effect Transistor) یک دستگاه نیمه هادی سه ترمینالی است. عملکرد آن بر اساس یک ولتاژ ورودی کنترل شده است. از نظر ظاهری JFET و ترانزیستورهای دوقطبی بسیار شبیه هستند. با این حال، BJT یک دستگاه کنترل جریان است و JFET توسط ولتاژ ورودی کنترل می شود. معمولاً دو نوع FET در دسترس هستند.
عملکرد ترانزیستور اثر میدان اتصال تنها به جریان حامل های اکثریت (الکترون ها یا سوراخ ها) بستگی دارد. اساسا، JFET ها از یک نوار سیلیکونی نوع N یا نوع P تشکیل شده اند که شامل اتصالات PN در طرفین است.
