حافظه SRAM یا Static Random Access Memory شکلی از حافظه نیمه هادی است که به طور گسترده در الکترونیک، میکروپروسسورها و کاربردهای محاسباتی استفاده می شود.
این شکل از حافظه رایانه نام خود را از این واقعیت به دست می‌آورد که داده‌ها به صورت ثابت در تراشه حافظه نگهداری می‌شوند و مانند حافظه DRAM نیازی به روزرسانی پویا ندارند.
در حالی که داده های حافظه SRAM نیازی به رفرش پویا ندارند، اما همچنان فرار هستند، به این معنی که وقتی برق از دستگاه حافظه قطع می شود، داده ها نگه داشته نمی شوند و ناپدید می شوند.
S-RAM این مزیت را دارد که عملکرد بهتری نسبت به DRAM ارائه می دهد، زیرا DRAM در زمان استفاده باید به طور دوره ای به رفرش شود، در حالی که SRAM اینطور نیست. با این حال، SRAM گران‌تر و چگالی کمتری نسبت به DRAM دارد، بنابراین اندازه ی SRAM مرتباً کمتر از DRAM می باشد.
حافظه های SRAM و DRAM هر دو نوع حافظه فرار هستند، به این معنی که در صورت قطع برق، اطلاعات خود را از دست می دهند. با وجود این شباهت، آنها از جنبه های مهمی با هم تفاوت دارند. بیشتر این تفاوت در نحوه ساخت آنها نهفته است. SRAM از یک مدار فلیپ فلاپ برای ذخیره هر بیت داده استفاده می کند. مدار دو حالت پایدار را ارائه می دهد که به صورت 0 یا 1 خوانده می شوند. برای پشتیبانی از این حالت ها، مدار به شش ترانزیستور نیاز دارد، چهار ترانزیستور برای ذخیره بیت و دو تا برای کنترل دسترسی به سلول. به دلیل وجود تمام این ترانزیستورها، یک تراشه SRAM ظرفیت بسیار کمتری نسبت به یک تراشه DRAM با اندازه مشابه دارد.
DRAM فقط به یک ترانزیستور و یک خازن برای ذخیره بیت نیاز دارد. خازن الکترون هایی را نگه می دارد که تعیین می کنند بیت 0 یا 1 است. ترانزیستور به عنوان کلیدی برای خواندن و تغییر حالت خازن عمل می کند. متأسفانه خازن‌های DRAM تمایل به نشت الکترون‌ها و از دست دادن بار خود دارند، بنابراین باید به‌طور دوره‌ای برای حفظ داده‌های خود به‌روزرسانی شوند، که می‌تواند بر سرعت دسترسی و افزایش مصرف انرژی تأثیر بگذارد.
به دلیل طراحی های مختلف، SRAM تمایل دارد عملکرد بهتری داشته باشد و به برق کمتری نیاز دارد، به خصوص در حالت Standby. با این حال، نمی تواند به اندازه DRAM داده ذخیره کند و گران تر است. جدول زیر چندین تفاوت کلیدی بین SRAM و DRAM را نشان می دهد.
