حافظه DRAM یا Dynamic Random Access Memory نوعی حافظه نیمه هادی است که معمولاً برای داده ها یا کد برنامه مورد نیاز یک پردازنده رایانه برای انجام عملیات و کارکردن استفاده می شود. DRAM یک نوع رایج RAM (حافظه موقت یا حافظه دسترسی تصادفی) است که در کامپیوترها، ایستگاه های کاری و سرورها استفاده می شود. دسترسی تصادفی به پردازنده کامپیوتر این امکان را می دهد تا به جای اینکه به طور متوالی از یک مکان شروع به کار کند، به هر قسمت از حافظه به طور مستقیم دسترسی داشته باشد. RAM در نزدیکی پردازنده کامپیوتر قرار دارد و دسترسی سریعتر به داده ها را نسبت به رسانه های ذخیره سازی مانند هارد دیسک امکان پذیر می کند. MT41K256M16HA-125:E یک DRAM با حافظه 4Gbit می باشد که توسط شرکت Micron Technology تولید شده است.
DRAM چگونه کار می کند؟
حافظه از بیت های داده یا کد برنامه ساخته شده است که در یک شبکه دو بعدی مرتب شده اند. DRAM بیت هایی از داده ها را در چیزی که حافظه یا سلول حافظه نامیده می شود ذخیره می کند که از یک خازن و یک ترانزیستور تشکیل شده است. سلول های ذخیره سازی معمولاً در یک پیکربندی مستطیل شکل سازماندهی می شوند. هنگامی که شارژ از طریق یک ستون ارسال می شود، ترانزیستور در ستون فعال می شود. DRAM یک سلول ذخیرهسازی پویا است، به این معنی که برای جبران نشت شارژ از خازن، باید هر چند میلیثانیه یک بار تازهسازی شود یا شارژ الکترونیکی جدیدی به آن داده شود.
سلولهای حافظه با مدارهای دیگری کار میکنند که میتوانند برای شناسایی ردیفها و ستونها، ردیابی فرآیند تازهسازی، دستور پذیرش یا عدم پذیرش شارژ و خواندن یا بازیابی دادهها از یک سلول استفاده شوند.
DRAM از جمله MT41K256M16HA-125:E یکی از گزینه های حافظه نیمه هادی است که طراح سیستم می تواند هنگام ساخت یک کامپیوتر از آن استفاده کند. گزینه های حافظه جایگزین عبارتند از: رم استاتیک SRAM، EEPROM، فلش NOR و فلش NAND. بسیاری از سیستم ها از بیش از یک نوع حافظه استفاده می کنند.
برای مشاهده انواع DRAM اینجا را کلیک کنید
انواع DRAM
انواع مختلفی از DRAM وجود دارد که می توان از آنها در دستگاه های مختلف استفاده کرد. برخی از نمونه ها شامل موارد زیر است که در ادامه به بررسی آنها می پردازیم.
Synchronous DRAM یا SDRAM سرعت حافظه را با سرعت ساعت CPU همگام می کند و به کنترل کننده حافظه اجازه می دهد تا چرخه ساعت CPU را شناسایی کند. این به CPU اجازه می دهد تا دستورات بیشتری را در یک زمان انجام دهد. MT41K256M16HA-125:E یک SDRAM مدل DDR3L می باشد که به منظور خرید می توانید با کارشناسان ما تماس بگیرید.
Rambus DRAM یا RDRAM در اوایل دهه 2000 بیشتر برای کارت های گرافیک مورد استفاده قرار گرفت.
Double Rate Data SDRAM یا DDR SDRA با استفاده از دوبار پین کردن پهنای باند در نرخ داده SDRAM را تقریباً دو برابر می کند. این فرآیند به داده ها اجازه می دهد تا در لبه های بالا و پایین سیگنال ساعت منتقل شوند. در طول زمان در تکرارهای مختلف از جمله DDR2 SDRAM، DDR3 SDRAM و DDR4 SDRAM در دسترس بوده است.
DRAM با حالت صفحه سریع (FPM DRAM) با تمرکز بر دسترسی سریع به صفحه، عملکرد بالاتری نسبت به سایر انواع DRAM می دهد.
DRAM داده های طولانی (EDO DRAM) زمان خواندن از حافظه روی ریزپردازنده ها، مانند Intel Pentium را بهبود می بخشد.
مزایا
- طراحی آن ساده است و فقط به یک ترانزیستور نیاز دارد.
- هزینه آن در مقایسه با انواع حافظه های جایگزین مانند SRAM کمتر است. (تفاوت SRAM و DRAM موضوع مورد بررسی در مبحث شناخت حافظه رم RAM است که شما با مراجعه به این مقاله می توانید اطلاعات تکمیلی درباره تفاوت دو حافظه SRAM و DRAM به دست بیاورید. )
- سطوح تراکم بالاتری را فراهم می کند.
- داده های بیشتری را می توان با استفاده از DRAM ذخیره کرد.
- حافظه را می توان در حین اجرای یک برنامه به روزرسانی و حذف کرد.
معایب
- حافظه فرار است.
- مصرف برق نسبت به سایر گزینه ها بالاست.
- تولید آن پیچیده است.
- داده ها در سلول های ذخیره سازی باید به روز شوند.
- کندتر از SRAM است.
مشخصات فنی MT41K256M16HA-125:E
نوع مونتاژ | Smd |
تعداد پایه | 96 |
دمای عملیاتی | 0° +90°C |
پکیج | FBGA |
حافظه | 4Gbit |
تکنولوژی | SDRAM – DDR3L |
تولید کننده | Micron Technology |
نقد و بررسیها
هیچ دیدگاهی برای این محصول نوشته نشده است.